光刻機(MaskAligner)又名:掩模對準(zhǔn)曝光機,曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準(zhǔn)光刻,所以叫MaskAlignmentSystem。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。光刻設(shè)備從光源(從最初的g-Line、i-Line發(fā)展到極紫外EUV)、曝光方式(從接觸式到步進(jìn)式,從干式投影到浸沒式投影)不斷進(jìn)行著改進(jìn)。目前光刻機主要可以分為主流IC前道制造光刻機、IC后道先進(jìn)封裝光刻機、LED/MEMS/Power Devices制造用光刻機以及面板光刻機。ASML、佳能以及尼康是光刻機主要供應(yīng)商,其中ASML在高端市場一家獨大并且壟斷EUV光刻機。從光刻機總體出貨量來看(含非IC前道光刻機),目前全球光刻機出貨量99%集中在ASML、尼康和佳能。其中ASML份額最高,達(dá)到67.3%,且壟斷了高端EUV光刻機市場。ASML技術(shù)先進(jìn)離不開高投入,其研發(fā)費用率始終維持在15%-20%,遠(yuǎn)高于Nikon和Canon。上海微電子是國內(nèi)光刻機領(lǐng)軍者,其IC前道光刻機可以實現(xiàn)90nm制程,未來有望逐步實現(xiàn)技術(shù)突破。受益于下游需求旺盛,光刻設(shè)備有望量價齊升帶動市場空間不斷增長。價:隨著芯片制程的不斷升級,IC前道光刻機制造日益復(fù)雜,其價格不斷攀升。先進(jìn)制程發(fā)展使得晶體管成本降低,但是光刻機價格不斷增高。目前7nm EUV光刻機平均每臺價格達(dá)到了1.2億歐元。量:晶圓尺寸變大和制程縮小將使產(chǎn)線所需的設(shè)備數(shù)量加大,性能要求變高。12寸晶圓產(chǎn)線中所需的光刻機數(shù)量相較于8寸晶圓產(chǎn)線將進(jìn)一步上升。同時預(yù)計2020年隨著半導(dǎo)體產(chǎn)線得到持續(xù)擴產(chǎn),光刻機需求也將進(jìn)一步加大。
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